近年来，全球芯片制造工艺持续突破技术瓶颈，主要进展集中在以下几个方向：
1. 制程节点迈向埃米时代
台积电、三星和英特尔已量产3nm工艺，并加速推进2nm研发。台积电2nm计划2025年量产，首次采用GAA（全环绕栅极）晶体管架构，相较FinFET性能提升15%或功耗降低30%。英特尔则提出"4年5个节点"战略，其Intel 18A（1.8nm）预计2024年底投产，采用RibbonFET GAA技术和背面供电架构。
2. EUV光刻技术深化应用
ASML新一代High-NA EUV光刻机（数值孔径0.55）已交付英特尔，分辨率可达8nm，支持单次曝光更复杂的芯片设计。三星引入双层图案化EUV工艺，3nm节点减少掩膜层数40%。台积电开发出低剂量EUV技术，生产效率提升20%。
3. 先进封装技术崛起
台积电CoWoS（chip-on-wafer-on-substrate）封装实现12颗HBM3堆叠，互联密度达1TB/s。英特尔推出EMIB（嵌入式多芯片互连桥）和Foveros 3D封装，混合键合间距缩至3微米。三星I-Cube技术实现逻辑芯片与内存的异构集成。
4. 新材料体系突破
IBM研发2nm节点使用的双层纳米片通道材料。Imec开发钌金属互连技术，电阻比铜降低30%。二维材料如二硫化钼、黑磷成为1nm以下节点候选沟道材料，迁移率可达硅的5倍。
5. 特殊工艺扩展
射频工艺方面，格罗方德推出45nm RF-SOI二代技术，噪声系数降低50%。功率芯片领域，展示8英寸氮化镓晶圆产线，开关损耗较硅基降低80%。存算一体芯片采用28nm制程实现1TOPS/W能效比。
6. 国产化技术进展
中芯国际完成7nm DUV多重曝光工艺量产，N+2工艺良率突破75%。华为与国内供应链合作开发14nm以上节点去美化产线，国产ArF光刻胶通过28nm验证。长春光机所研制出NA0.75 EUV光学镜头原型。
技术挑战方面，1nm以下节点面临量子隧穿效应加剧问题，需引入负电容晶体管等新结构。成本问题突出：3nm晶圆单价突破2万美元，High-NA EUV设备单价超3亿欧元。全球半导体设备交期仍长达18-24个月，材料要求升至99.9999999%（9N级）。未来三年，CFET（互补型场效应晶体管）、光子集成电路等方向可能成为新突破点。
